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用于微电子行业的 VNX55-E 和 VNX55-EX 膜堆

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大流量膜堆，采用成熟的连续电去离子 (CEDI) 技术来生产高纯水

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大流量膜堆，采用成熟的连续电去离子 (CEDI) 技术来生产高纯水

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Description

VNX55-E大流量膜堆采用久经考验的Ionpure® 连续电去离子 (CEDI) 技术来生产高纯度水。为满足微电子行业对高回收率和超纯水的需求，对性能进行了优化。

每台VNX55-E膜堆的名义流量为12.5 m³/h (55 gpm)。

采用多台 12.5 m³/h (55 gpm) 膜堆简化了系统设计，可以实现最高可达 227 m3/h  (1,000 gpm) 甚至更大的系统流量。

Features

特点

  • 保证实现 18 MΩ-cm 的产水电阻率，针对微电子行业和 超纯水 (UPW) 系统进行了优化
  • 硅和硼的去除率 ≥ 95%
  • 钠离子和氯离子的去除率 ≥ 99.8%
  • 对于抛光回路处理 98.5% - 99% 的回收率和高节水率
  • Through-port 垫片密封，无泄漏
  • 大流量膜堆可降低系统成本并简化机架设计
  • 附带管接头
  • 膜堆自带接线盒，用于连接直流电源
  • 可提供 50 mm 对焊聚丙烯 (PP) 套件和图纸

优点

  • 无需使用酸/碱及中和系统或更换树脂罐
  • 与传统离子交换系统相比，极大地降低运行成本

Specs

Flow Rate, Maximum: m³/hr
  • 22.7
Flow Rate, Minimum: m³/hr
  • 5.7
Flow Rate, Minimum: gpm
  • 25
Flow Rate, Maximum: gpm
  • 100
Operating Temperature, Minimum: °F
  • 68
Operating Temperature, Maximum: °F
  • 113
Operating Temperature, Minimum: °C
  • 20
Operating Temperature, Maximum: °C
  • 45

Documentation